2014年半导体分会年会顺利召开
2014-11-25 16:11:36   来源：    点击：

        2014年11月19日～21日，全国半导体材料分标委会年会在历史名城徐州顺利召开，来自半导体行业的59家单位85名代表参加了本次会议。有色金属技术经济研究院副院长朱玉华先生、江苏中能硅业科技发展有限公司总经理蒋文武先生出席会议，标委会秘书长贺东江先生作了工作报告。会议由朱玉华副院长主持。
        蒋文武总经理作为协办方代表致欢迎辞，并从自身企业出发介绍了多晶硅现状和标准在行业的基础建设、科技生产及经济活动中的重要性。贺东江秘书长向大会作了2014年度工作报告，总结了一年来标准制修订工作、标准体系建设、标准化基础平台建设以及标准汇编等工作情况，并提出下一年度标准化工作的重点和思路。朱玉华副院长宣读了“2014年度全国半导体材料技术标准优秀奖”获奖项目（4项）名单，并对获奖单位和个人进行了表彰。         随后，全体代表对各会员单位提出的下一年度标准计划项目进行了论证，并由全体委员进行了投票。鉴于目前行业内关于硅材料“多晶硅”和“硅多晶”名称不统一的问题，会议进行了认真热烈的讨论，各相关单位畅所欲言，认为应从名称上统一标准，并根据GB/T 14264-2009《半导体材料术语》的规定、材料属性以及行业内的习惯叫法，最终确定上游原材料称为“多晶硅“，而后续的晶锭、晶片称为“硅多晶”，并在今后的标准修订中统一。
        全体大会结束后，会议分硅材料和蓝宝石/锗/高纯金属两组对8项标准进行了审定或讨论，并对2014年审定的标准项目进行了终审，同时还对今年新下达计划的14项国行标进行了任务落实，确定了标准主要内容和进度安排等。
        会议圆满完成各项议程后顺利闭幕。