首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号或 标准样品编号 |
标准名称或 标准样品名称 |
代替标号或 定值元素 |
国家/行业 |
有效年限 |
871 |
ASTM B 703-2010 | 用阿诺德(Arnold)仪器测定金属粉末表观密度试验方法 | |||
872 |
ASTM B 761-2006 | 用重量沉积X光控制法测定难熔金属粒度分布试验方法 | |||
873 |
ASTM B 771-1987(2006) | 硬质合金试样断裂韧性试验方法 | |||
874 |
ASTM B 859-2003(2008) | 难熔金属粉末及其化学物粒度分析前分散规范 | |||
875 |
ASTM B 438-2008 | 青铜基粉末烧结轴承（油浸透） | |||
876 |
ASTM B 595-1995(2006) | 铝烧结结构件 | |||
877 |
ASTM B 657-2005 | 烧结碳化钨微观结构的金相测定方法 | |||
878 |
ASTM B 665-2008 | 烧结碳化钨的金相试样的制备 | |||
879 |
ASTM B 777-2007 | 钨基高密度金属 | |||
880 |
ASTM B 823-2009 | 有色粉末冶金结构件 | |||
881 |
ASTM B 834-1995(2009) | 压力强化粉末冶金铁镍铬钼和镍铬钼铌合金管法兰、管连接件、阀门和零件 | |||
882 |
ASTM B 853-2007 | 粉末冶金硼不锈钢结构件的标准技术规范 | |||
883 |
ASTM E 668-05 | 用于确定在电子器件辐射硬化试验中吸收量大小的热致剂量计系统的使用测试方法 | |||
884 |
ASTM E 722-04 | 用于确定在电子器件辐射硬化试验中等量单能中子积分通量规程 | |||
885 |
ASTM E 1249-00(2005) | 在硅电子器件采用Co-60源辐射硬化试验中最小剂量误差规程 | |||
886 |
ASTM E 1250-88(2005) | 对用于评估在测试硅电子器件辐射硬化特性时使用的Co-60辐射低能量γ元件电离室的试验方法 | |||
887 |
ASTM E 2244-05 | 采用光学干涉仪测量薄反射膜平面长度方法 | |||
888 |
ASTM E 2245-05 | 采用光学干涉仪测量薄反射膜残余应变方法 | |||
889 |
ASTM E 2246-05 | 采用光学干涉仪测量薄反射膜应变梯度方法 | |||
890 |
ASTM F 76-86(2002) | 单晶半导体中电阻霍尔系数的测量和霍尔迁移率确定方法 | |||
891 |
ASTM F 358-83(2002) | 磷砷化镓晶片光致发光峰值波长和对应组分测试方法 | |||
892 |
ASTM F 390-98(2003) | 采用直排四探针法测量薄金属薄膜表面电阻 | |||
893 |
ASTM F 418-77(2002) | 霍尔效应试验时磷砷化镓外延片恒定组分区试样制备规程 | |||
894 |
ASTM F 487-88(2006) | 半导体键合用纯铝－1％硅丝规范 | |||
895 |
ASTM F 615M-95(2006) | 半导体组件喷镀金属上工作区和安全电流脉冲测定规程[公制] | |||
896 |
ASTM F 616M-96(2003) | MOSFET漏泄电流测试方法 | |||
897 |
ASTM F 617-00 | MOSFET线性临界电压测试方法 | |||
898 |
ASTM F 996-98(2003) | 防止由于夹杂氧化物空穴和界面态采用次临界电流电压特性使MOSFET临界电压变化影响元件隔离电离辐射试验方法 | |||
899 |
ASTM F 1190-99(2005) | 无偏电子器件中中子辐射规程 | |||
900 |
ASTM F 1192-00 | 半导体器件重离子辐射产生的单事件形式测量指南(SEP) | |||
| 6075条 上一页 1.. 26 27 28 29 30 31 32 33 34 ..203 下一页 | |||||
