首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号或 标准样品编号 |
标准名称或 标准样品名称 |
代替标号或 定值元素 |
国家/行业 |
有效年限 |
271 |
SEMI MF 673-1105 | 用非接触式涡流标尺测量半导体晶片电阻率或半导体薄膜薄层电阻的方法 | |||
272 |
SEMI MF 674-0705 | 扩展电阻测量用硅的制备 | |||
273 |
SEMI MF 723-0307E | 掺硼、掺磷和掺砷硅片的电阻率与掺杂剂浓度的换算惯例 | |||
274 |
SEMI MF 728-1106 | 尺寸测量用光学显微镜预置规范 | |||
275 |
SEMI MF 847-0705 | 用X射线技术测量硅单晶片上的参考面结晶取向的方法 | |||
276 |
SEMI MF 928-0305 | 圆形半导体晶片及硬性磁盘基片的边缘轮廓的试验方法 | |||
277 |
SEMI MF 950-1107 | 用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法 | |||
278 |
SEMI MF 951-0305 | 测量硅片间隙氧径向变化的试验方法 | |||
279 |
SEMI MF 978-1106 | 采用瞬时电容法标示深能级半导体实验方法 | |||
280 |
SEMI MF 1048-1109 | 测量全反射集成分散器的方法 | |||
281 |
SEMI MF 1049-0308 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | |||
282 |
SEMI MF 1152-0305 | 硅片刻槽尺寸的测试方法 | |||
283 |
SEMI MF 1153-1110 | 用电容－电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法 | |||
284 |
SEMI MF 1188-1107 | 用短基线红外吸收法测试硅中间隙原子氧含量 | |||
285 |
SEMI MF 1239-0305 | 用测量间隙氧减少方法测试硅晶片的氧析出特性 | |||
286 |
SEMI MF 1366-0308 | 用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧含量的方法 | |||
287 |
SEMI MF 1388-0707 | 用金属－氧化物－硅电容器容量－时间(C-T)法测定硅材料产生寿命 和生产速度的试验方法 | |||
288 |
SEMI MF 1389-1110 | Ⅲ－Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法 | |||
289 |
SEMI MF 1390-0707 | 自动非接触式扫描法测量硅晶片翘曲度的测试方法 | |||
290 |
SEMI MF 1391-1107 | 红外吸收法测试硅中替位碳原子含量 | |||
291 |
SEMI MF 1392-0307 | 用带汞探针的容量－电压测量器测定硅晶片中净载流子密度分布的测试方法 | |||
292 |
SEMI MF 1451-0707 | 用自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法 | |||
293 |
SEMI MF 1527-0307 | 用于硅电阻测量仪器校准和控制的参考材料和参考晶片的使用指南 | |||
294 |
SEMI MF 1528-0308 | 用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法 | |||
295 |
SEMI MF 1529-1110 | 用双配置程序的直列式四点探针法评定薄板阻抗不均匀性的方法 | |||
296 |
SEMI MF 1530-0707 | 用非接触自动扫描法测量硅片平整度、厚度和厚度变化的试验方法 | |||
297 |
SEMI MF 1535-0707 | 用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法 | |||
298 |
SEMI MF 1569-0307 | 半导体技术用统一参考材料的形成指南 | |||
299 |
SEMI MF 1617-0304 | 二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾 | |||
300 |
SEMI MF 1618-1110 | 硅晶片薄膜的不均匀性判定规程 | |||
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