首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号或 标准样品编号 |
标准名称或 标准样品名称 |
代替标号或 定值元素 |
国家/行业 |
有效年限 |
211 |
XB/T 507-2009 | 2：17型钐钆钴铜铁锆 永磁材料 | 行业标准 | ||
212 |
XB/T 223-2009 | 氟化镧 | 行业标准 | ||
213 |
62010-91 | ||||
214 |
SEMI M10-1296 | 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语 | |||
215 |
SEMI M12-0706 | 晶片正面系列字母和数字标志规范 | |||
216 |
SEMI M13-0706 | 硅片上字母和数字标志规范 | |||
217 |
SEMI M14-89 | 半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范 | |||
218 |
SEMI M15-0298 | 半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表 | |||
219 |
SEMI M17-1110 | 晶片通用网格指南 | |||
220 |
SEMI M18-1107 | 硅片订货单格式输入规范指南 | |||
221 |
SEMI M20-1110 | 晶片坐标体系建立惯例 | |||
222 |
SEMI M21-1110 | 笛卡儿坐标阵列矩形单元寻址分配指南 | |||
223 |
SEMI M26-0304 | 晶片运输用100，125，150，和200 mm晶片盒重复使用指南 | |||
224 |
SEMI M32-0307 | 统计规范指南 | |||
225 |
SEMI M43-1109 | 晶片纳米形貌报告指南 | |||
226 |
SEMI M48-1101（撤销1110） | 未成型硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺评估指南 | |||
227 |
SEMI M59-1110 | 硅技术术语 | |||
228 |
SEMI M30-0997 | 用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准测试方法 | |||
229 |
SEMI M31-0708 | 正面开启用于300mm晶片运输和发装运盒暂行机械规范 | |||
230 |
SEMI M33-0998（撤销1107） | 测定硅片表面残留沾污的测定试验方法－X射线反射荧光分光谱（TXRF）法 | |||
231 |
SEMI M34-0299 | 制定SIMOX硅片技术规范指南 | |||
232 |
SEMI M35-1107 | 开展自动检测硅片表面特征规范的指南 | |||
233 |
SEMI M36-0699 | 低位错密度砷化镓抛光片中腐蚀坑密度（EPD）的测量方法 | |||
234 |
SEMI M37-0699 | 低位错密度磷化铟抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测试方法 | |||
235 |
SEMI M39-0999 | 通过测量电阻率和霍尔系统确定半绝缘砷化镓单晶中霍尔迁移率的试验方法 | |||
236 |
SEMI M40-1109 | 硅片二维表面粗糙度测定指南 | |||
237 |
SEMI M44-0305 | 硅中间隙氧（含量）转换因子（测量）指南 | |||
238 |
SEMI M46-1101E（重新确认0309） | 用ECV剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法 | |||
239 |
SEMI M49-1108 | 用于130nm到65nm级技术生产硅片几何尺寸测试设备的指南 | |||
240 |
SEMI M50-0310 | 用投影法确定表面扫描检测系统的捕获效率和错误计数率的测试方法 | |||
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