首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号或 标准样品编号 |
标准名称或 标准样品名称 |
代替标号或 定值元素 |
国家/行业 |
有效年限 |
241 |
SEMI M51-0303 | 用门氧化完整性确定硅片特征的测试方法 | |||
242 |
SEMI M52-0307 | 用于130nm级技术生产的硅片表层扫描检验系统的评价指南 | |||
243 |
SEMI M53-1109 | 用单分散聚苯乙烯胶乳球沉积法在未定型半导体晶片表面校准表层扫描检验体系的惯例方法 | |||
244 |
SEMI M56-0307 | 确定由于设备测量变量和测量偏差引起的成本代价的惯例方法 | |||
245 |
SEMI M58-1109 | 评估基于粒子沉积系统和工艺的直接存储器的测试方法 | |||
246 |
SEMI M60-0306E2 | 用击穿SiO2膜绝缘时间变量参数来评估硅片的测试方法 | |||
247 |
SEMI M63-0306 | 准则：采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法 | |||
248 |
SEMI M64-0306 | 红外吸收光谱法测量半绝缘（SI）砷化镓单晶上深能级EL2浓度的测试方法 | |||
249 |
SEMI ME1392-1109 | 在表面反射或散射的角分辨光散射测量指南 | |||
250 |
SEMI MF 26-0305 | 测定半导体单晶体取向的方法 | |||
251 |
SEMI MF 42-1105 | 掺杂半导体材料导电类型试验方法 | |||
252 |
SEMI MF 43-0705 | 半导体材料电阻率试验方法 | |||
253 |
SEMI MF 81-1105 | 硅片径向电阻率变化测量方法 | |||
254 |
SEMI MF 84-0307 | 用直排四探针法测量硅片电阻率的试验方法 | |||
255 |
SEMI MF 95-1107 | 用红外线反射法测定重掺杂硅衬底上轻掺杂硅外延层厚度的试验方法 | |||
256 |
SEMI MF 110-1107 | 用磨角和染色技术测定硅外延层或扩散层厚度的试验方法 | |||
257 |
SEMI MF 154-1105 | 鉴别镜面状硅片表面观察到的结构和沾污的指南 | |||
258 |
SEMI M F 374-0307 | 用直排四探针法测试硅外延层、扩散层、多晶硅和离子注入层的薄层电阻的试验方法 | |||
259 |
SEMI MF 391-0708 | 通过测量稳态硅表面光致电压确定硅中少数载流子扩散长度的试验方法 | |||
260 |
SEMI MF 397-1106 | 用二探针法测定硅棒电阻率的标准方法 | |||
261 |
SEMI MF 398-92（0307撤销） | 采用等离子共振最小波数或波长法测量半导体中多数载流子浓度方法 | |||
262 |
SEMI MF 399-00a（撤销0710） | 异质外延或多晶层厚度测试方法 | |||
263 |
SEMI MF 523-1197 | 硅抛光片的目检规程 | |||
264 |
SEMI MF 525-0307 | 用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法 | |||
265 |
SEMI MF 533-0310 | 硅片厚度及厚度变化的测试方法 | |||
266 |
SEMI MF 534-0707 | 硅片的弯曲度测试方法 | |||
267 |
SEMI MF 576-0706 | 用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的试验方法 | |||
268 |
SEMI MF 657-0707E | 用非接触扫描法测量硅片的翘曲度及总厚度变化的试验方法 | |||
269 |
SEMI MF 671-0707 | 硅晶片及其他电子材料的参考面长度测量方法 | |||
270 |
SEMI MF 672-0307 | 用扩展电阻探针测量硅晶片垂直于纵断面表面的电阻率的方法 | |||
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