首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号或 标准样品编号 |
标准名称或 标准样品名称 |
代替标号或 定值元素 |
国家/行业 |
有效年限 |
301 |
SEMI MF 1619-1107 | 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅片中间隙氧含量 | |||
302 |
SEMI MF 1630-1107 | 单晶硅Ⅲ－Ⅴ级杂质的低温FT－IR分析测试方法 | |||
303 |
SEMI MF 1708-1104 | 用区融和光谱分析仪评定粒状多晶硅的规程 | |||
304 |
SEMI MF 1723-1104 | 通过漂移区生长和光谱法评价多晶硅棒的方法 | |||
305 |
SEMI MF 1724-1104 | 采用酸萃取－原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污 | |||
306 |
SEMI MF 1725-1110 | 硅锭结晶学完整性的分析方法 | |||
307 |
SEMI MF 1726-1110 | 硅片结晶学完整性分析规程 | |||
308 |
SEMI MF 1727-1110 | 硅抛光片表面氧化诱生缺陷的检测方法 | |||
309 |
SEMI MF 1763-0706 | 线性偏光镜测试方法 | |||
310 |
SEMI MF 1771-1110 | 通过电压斜线上升技术评估栅极氧完整性的方法 | |||
311 |
SEMI MF 1809-1110 | 表征硅中结构缺陷的腐蚀溶液的选择和使用指南 | |||
312 |
SEMI MF 1810-1110 | 用于记录硅片择优腐蚀和加工表面缺陷的方法 | |||
313 |
SEMI MF1811-1109 | 从表面轮廓数据估计功谱密度和相关加工参数的指南 | |||
314 |
SEMI MF 1982-1110 | 热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法 | |||
315 |
SEMI MF 2074-0707 | 硅及其他半导体材料晶片直径的测量方法指南 | |||
316 |
SEMI MF 2139-1103（重新确认1110） | 采用二次离子质谱法测量硅衬底上氮浓度的方法 | |||
317 |
SEMI MF 2166-1110 | 通过使用特殊参考晶片监控非接触式电介质评定系统的方法 | |||
318 |
SEMI PV1-0709 | 利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法 | |||
319 |
SEMI PV2-0709E | 光伏设备通信接口指南（PV ECI）： | |||
320 |
SEMI PV9-1110 | 非接触式短脉冲光照后微波反射法测量光伏级硅材料中剩余载流子衰变的方法 | |||
321 |
SEMI PV10-1110 | 仪器中子活化分析测量（INNA）方法 | |||
322 |
SEMI PV13-0211 | 采用涡流传感器无接触测试硅片、硅锭和硅块中多余载流子复合寿命方法 | |||
323 |
SEMI PV15-0211 | 规定条件下采用角分辨光散射法监测光伏材料表面粗糙度和织构指南 | |||
324 |
SEMI M1-1109 | 硅单晶抛光片规范 | |||
325 |
SEMI M3-0304（撤销0707） | 蓝宝石单晶抛光衬底规范 | |||
326 |
SEMI M4-1103（撤销0307） | SOS外延片规范 | |||
327 |
SEMI M6-1108 | 太阳能电池级硅片规范 | |||
328 |
SEMI M8-0307 | 硅单晶抛光试验片规范 | |||
329 |
SEMI M9-0708 | 砷化镓单晶抛光片规范 | |||
330 |
SEMI M16-1110 | 多晶硅规范 | |||
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